项目介绍：该院已成功开发出质量居国际领先的固态紫外光电材料和 性能居国际先进水平的紫外光源芯片，并具备了产业化条件，可 用于医疗杀菌、污水治理、工业固化曝光、太空探测及军事领域， 市场价值巨大。材料和芯片具有以下特点：(1) 近紫外光源基板 位错密度仅 4.6×107 cm-2，368 nm 量子阱内量子效率达到 80％ 以上；368 nm 倒装薄膜结构(TFFC)芯片光功率(chip on wafer) 达到 560 mW@350 mA。整体水平与本领域国际领先的 LG 公司相 当，且掌握自主知识产权。（2）深紫外光源基板位错密度仅 4.7×107 cm-2，处于国际领先地位，280 nm 量子阱内量子效率达 到 47%以上；280 nm 深紫外光源实现了电注入发光。 

上 述 部 分 成 果 被 国 际 半 导 体 领 域 知 名 媒 体 杂 志 Semiconductor Today 以 Headline News 的形式报道，并多次在 国内和国际会议上以邀请报道的形式被报道。同时，我院在固态 紫外光源方向已布局专利 33 项（授权 11 项），并正在继续布局 大量的高价值专利，保护知识产权。